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RFD14N05SM9A

Name: ONSEMI RFD14N05SM9A
Brand: ONSEMI
SKU: 2454076RL
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreRFD14N05SM9A

Codice Prodotto2454076RL

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreRFD14N05SM9A

Codice Prodotto2454076RL

Datasheet tecnico

Data Sheet

Polarità Transistorcanale N

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds50V

Corrente Continua di Drain Id14A

Resistenza di Attivazione Rds(on)0.1ohm

Resistenza Drain-Source in conduzione0.1ohm

Stile di Case del TransistorTO-252AA

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima4V

Dissipazione di Potenza Pd48W

Dissipazione di potenza48W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max175°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Standard di Qualifica Automotive-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)

Panoramica del prodotto

The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.

Temperature compensating PSPICE® model
Peak current vs. pulse width curve
UIS Rating curve

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Polarità Transistor

canale N

Tensione Drain Source Vds

50V

Resistenza di Attivazione Rds(on)

0.1ohm

Stile di Case del Transistor

TO-252AA

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di Potenza Pd

48W

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Standard di Qualifica Automotive

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

14A

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.1ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Dissipazione di potenza

48W

Temperatura di esercizio max

175°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

Lead (27-Jun-2024)

Documenti tecnici (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternative per RFD14N05SM9A

3 prodotti trovati

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)

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Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.000556

Tracciabilità del prodotto