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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreRFD14N05SM9A
Codice Prodotto2454076
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds50V
Corrente Continua di Drain Id14A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.1ohm
Stile di Case del TransistorTO-252AA
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza48W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
14A
Stile di Case del Transistor
TO-252AA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
48W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
50V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.1ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per RFD14N05SM9A
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000556
Tracciabilità del prodotto