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NVMFD5C680NLT1G
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVMFD5C680NLT1G
Codice Prodotto2835612
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N26A
Corrente di drain continua (Id) canale P26A
Resistenza RdsON canale N0.023ohm
Resistenza RdsON canale P0.023ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N19W
Dissipazione di potenza canale P19W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
26A
Resistenza RdsON canale P
0.023ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
19W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
26A
Resistenza RdsON canale N
0.023ohm
Stile di Case del Transistor
DFN
Dissipazione di potenza canale N
19W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000012
Tracciabilità del prodotto