Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
39 469 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,326 |
50+ | € 0,217 |
100+ | € 0,157 |
500+ | € 0,122 |
1500+ | € 0,0968 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,63 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTR4101PT1G
Codice Prodotto1431303
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id3.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.085ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima720mV
Dissipazione di potenza730mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTR4101PT1G è un MOSFET di potenza Trench a canale P che offre una tensione di drain source di -20V e una corrente di drain continua -2,4A. È adatto per caricare i circuiti e la protezione delle batterie, la gestione di carico per i dispositivi portatili e le applicazioni di computing.
- Trench conduttore da -20V per bassi RDS (ON)
- -1,8V nominale per azionamento gate a bassa tensione
- Montaggio superficiale per footprint ridotto
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.2A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
730mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.085ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
720mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per NTR4101PT1G
3 prodotti trovati
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000008
Tracciabilità del prodotto