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NTR4101PT1G
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTR4101PT1G
Codice Prodotto2317885
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id3.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.085ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima720mV
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTR4101PT1G è un MOSFET di potenza Trench a canale P che offre una tensione di drain source di -20V e una corrente di drain continua -2,4A. È adatto per caricare i circuiti e la protezione delle batterie, la gestione di carico per i dispositivi portatili e le applicazioni di computing.
- Trench conduttore da -20V per bassi RDS (ON)
- -1,8V nominale per azionamento gate a bassa tensione
- Montaggio superficiale per footprint ridotto
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a 150°C
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.2A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.085ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
720mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto