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NTJD4105CT1G
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTJD4105CT1G
Codice Prodotto2317896
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N630mA
Corrente di drain continua (Id) canale P630mA
Resistenza RdsON canale N0.29ohm
Resistenza RdsON canale P0.29ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N270mW
Dissipazione di potenza canale P270mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras and PDAs.
- Complementary N and P channel device
- Leading -8V trench for low RDS(on) performance
- ESD protected gate- Class 1 ESD rating
- 460°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
630mA
Resistenza RdsON canale P
0.29ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
270mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
630mA
Resistenza RdsON canale N
0.29ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
270mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (1)
Alternative per NTJD4105CT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto