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NTHD3100CT1G
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTHD3100CT1G
Codice Prodotto2845402RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N3.9A
Corrente di drain continua (Id) canale P3.9A
Resistenza RdsON canale N0.064ohm
Resistenza RdsON canale P0.064ohm
Stile di Case del TransistorChipFET
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.1W
Dissipazione di potenza canale P1.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3.9A
Resistenza RdsON canale P
0.064ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.1W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
3.9A
Resistenza RdsON canale N
0.064ohm
Stile di Case del Transistor
ChipFET
Dissipazione di potenza canale N
1.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto