Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
75 074 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,254 |
500+ | € 0,181 |
1000+ | € 0,145 |
5000+ | € 0,130 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 30,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNDC7002N
Codice Prodotto9844821RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N50V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N510mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N2ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N700mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NDC7002N è un FET ad arricchimento (enhancement mode) a doppio canale N che utilizza un’alta densità di celle e tecnologia DMOS. Questo processo a densità molto alta è stato creato per ridurre al minimo la resistenza in conduzione (stato ON) e fornire una commutazione rapida e performance robuste e affidabili. Il dispositivo è particolarmente adatto per le applicazioni a bassa tensione che richiedono un interruttore high side a bassa corrente.
- Corrente di saturazione elevata
- Struttura delle celle ad alta densità per una bassa RDS(ON)
- Design con lead-frame di rame per capacità elettriche e termiche superiori
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
50V
Corrente di drain continua (Id) canale N
510mA
Resistenza RdsON canale N
2ohm
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Dissipazione di potenza canale N
700mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000016
Tracciabilità del prodotto