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| Quantità | |
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| 9000+ | € 0,0201 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBTA13LT1G
Codice Prodotto2441385
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Numero di pin3Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMBTA13LT1G è un transistor Darlington bipolare NPN progettato per l’uso nelle applicazioni di commutazione come i driver delle lampade, solenoidi, relé e timbri di stampa (print hammer). Il dispositivo è alloggiato in un package pensato per le applicazioni a montaggio superficiale di bassa potenza.
- Bassa RDS (ON) offre efficienza maggiore e prolunga la durata della batteria
- Salvare spazio su scheda
- Qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Numero di pin
3Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Documenti tecnici (2)
Alternative per MMBTA13LT1G
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto