Stampa pagina
MMBTA13LT1G
transistore Darlington, configurazione Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
14 823 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 500+ | € 0,044 |
| 1500+ | € 0,0391 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 500
Più: 5
€ 27,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBTA13LT1G
Codice Prodotto2464055RL
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo30V
Massima tensione Collettore-Emettitore30V
Dissipazione di Potenza Pd225mW
Corrente di Collettore continua300mA
Dissipazione di potenza225mW
Corrente di Collettore CC300mA
Case Transistor RFSOT-23
Numero di pin3Pin
Guadagno di Corrente CC hFE10000hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo10000hFE
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMBTA13LT1G è un transistor Darlington bipolare NPN progettato per l’uso nelle applicazioni di commutazione come i driver delle lampade, solenoidi, relé e timbri di stampa (print hammer). Il dispositivo è alloggiato in un package pensato per le applicazioni a montaggio superficiale di bassa potenza.
- Bassa RDS (ON) offre efficienza maggiore e prolunga la durata della batteria
- Salvare spazio su scheda
- Qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Massima tensione Collettore-Emettitore
30V
Corrente di Collettore continua
300mA
Corrente di Collettore CC
300mA
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
10000hFE
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
30V
Dissipazione di Potenza Pd
225mW
Dissipazione di potenza
225mW
Case Transistor RF
SOT-23
Guadagno di Corrente CC hFE
10000hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per MMBTA13LT1G
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto