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HUF75639G3
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreHUF75639G3
Codice Prodotto1700609
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id56A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza200W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The HUF75639G3 is a N-channel Power MOSFETs manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible ON-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, relay drivers, low-voltage bus switches and power management in battery operated products.
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
- Temperature compensated PSPICE®/SABER™ electrical, SPICE & SABER thermal impedance simulation models
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
56A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
200W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto