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Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreHGTP7N60A4
Codice Prodotto1095121
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua34A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.7V
Dissipazione di potenza125W
Massima tensione Collettore-Emettitore600V
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Panoramica del prodotto
The HGTP7N60A4 is a SMPS IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
- 1.9V @ IC = 7A Low saturation voltage
- 75ns Fall time @ TJ = 125°C
- 125W Total power dissipation @ TC = 25°C
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
34A
Dissipazione di potenza
125W
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Temperatura di esercizio max
150°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.7V
Massima tensione Collettore-Emettitore
600V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002033
Tracciabilità del prodotto