Stampa pagina
FDS8949
MOSFET dual-gate, canale N, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
11 726 A Stock
5 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,554 |
| 500+ | € 0,441 |
| 1000+ | € 0,393 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 60,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDS8949
Codice Prodotto1324814RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N6A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.029ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L’FDS8949 è un MOSFET di livello logico a doppio canale N prodotto grazie all'avanzata tecnologia PowerTrench®. È stato progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza di stato ON e mantenere allo stesso tempo una performance di commutazione superiore. Questo dispositivo è particolarmente adatto per le applicazioni alimentate a batteria e a bassa tensione, dove si richiedono basse perdite di potenza in linea e una commutazione rapida.
- Bassa carica di gate
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
- Capacità di tenuta di corrente e potenza elevate
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6A
Resistenza RdsON canale N
0.029ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000111
Tracciabilità del prodotto