Stampa pagina
FDS89141
MOSFET dual-gate, canale N, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
6 969 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 2,960 |
| 50+ | € 2,220 |
| 100+ | € 1,560 |
| 500+ | € 1,300 |
| 1000+ | € 1,240 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 14,80 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDS89141
Codice Prodotto2083349
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N100V
Tensione drain-source (Vds) canale P100V
Corrente di drain continua (Id) canale N3.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P3.5A
Resistenza RdsON canale N0.047ohm
Resistenza RdsON canale P0.047ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N31W
Dissipazione di potenza canale P31W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
100V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3.5A
Resistenza RdsON canale P
0.047ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
31W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
100V
Corrente di drain continua (Id) canale N
3.5A
Resistenza RdsON canale N
0.047ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
31W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000272
Tracciabilità del prodotto