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FDG6303N
MOSFET dual-gate, canale N, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDG6303N
Codice Prodotto2438439
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N25V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N500mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.34ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSC-70
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N300mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FDG6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Compact industry standard surface-mount-package
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.5A Continuous drain/output current
- 1.5A Pulsed drain/output current
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
25V
Corrente di drain continua (Id) canale N
500mA
Resistenza RdsON canale N
0.34ohm
Stile di Case del Transistor
SC-70
Dissipazione di potenza canale N
300mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto