FDC6310P
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
Ti serve altro?
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,579 |
| 10+ | € 0,340 |
| 100+ | € 0,242 |
| 500+ | € 0,225 |
| 1000+ | € 0,218 |
| 5000+ | € 0,205 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FDC6310P è un MOSFET a canale P doppio prodotto usando l’avanzato processo PowerTrench®. Questo prodotto è stato progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza in stato ON e mantenere allo stesso tempo una bassa carica di gate, per una performance di commutazione superiore. il dispositivo è stato pensato per offrire una dissipazione di potenza eccezionale in un footprint molto piccolo, per applicazioni dove i package più grandi e più costosi sono poco funzionali. È adatto per l’utilizzo nella commutazione dei carichi e nelle applicazioni di protezione delle batterie.
- Bassa carica di gate
- Velocità di commutazione rapida
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
- Footprint ridotto
- Basso profilo
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale P
20V
2.2A
0.1ohm
6Pin
960mW
-
MSL 1 - Non Limitata
20V
2.2A
0.1ohm
SOT-23
960mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto