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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FCD5N60TM è un super junction MOSFET ad alta tensione SuperFET® a canale N che utilizza una tecnologia di bilanciamento della carica per performance con bassa resistenza in ON e carica di gate ancora più bassa. Questa tecnologia è fatta su misura per ridurre al minimo la perdita di conduzione, offrire prestazioni di commutazione superiori, rapporto dV/dt ed energia in valanga superiore. Di conseguenza, il MOSFET SuperFET è molto adatto per le applicazioni di alimentazione switching come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione di server/telecom, FPD TV, ATX e industriale.
- Carica di gate ultra bassa (Qg = 16nC)
- Bassa capacità elettrica di output (Coss.eff = 32pF)
- Testato in modalità a valanga al 100%
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
4.6A
TO-252 (DPAK)
10V
54W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
650V
0.95ohm
montaggio superficiale (SMT)
5V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto