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2N7002DW
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttore2N7002DW
Codice Prodotto2464117RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N115mA
Corrente di drain continua (Id) canale P115mA
Resistenza RdsON canale N1.6ohm
Resistenza RdsON canale P1.6ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N200mW
Dissipazione di potenza canale P200mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The 2N7002DW is an N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor features low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed and low input/output leakage.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
115mA
Resistenza RdsON canale P
1.6ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
200mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
115mA
Resistenza RdsON canale N
1.6ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
200mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per 2N7002DW
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003629