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PSMN9R3-60HSX
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.00764 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN9R3-60HSX
Codice Prodotto4078671
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N40A
Corrente di drain continua (Id) canale P40A
Resistenza RdsON canale N0.00764ohm
Resistenza RdsON canale P0.00764ohm
Stile di Case del TransistorLFPAK56D
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N68W
Dissipazione di potenza canale P68W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
40A
Resistenza RdsON canale P
0.00764ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
68W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
40A
Resistenza RdsON canale N
0.00764ohm
Stile di Case del Transistor
LFPAK56D
Dissipazione di potenza canale N
68W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000272
Tracciabilità del prodotto