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PSMN8R5-40HSX
MOSFET dual-gate, canale N, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 7000 µohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN8R5-40HSX
Codice Prodotto4078677
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N30A
Corrente di drain continua (Id) canale P30A
Resistenza RdsON canale N7000µohm
Resistenza RdsON canale P7000µohm
Stile di Case del TransistorLFPAK56D
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N53W
Dissipazione di potenza canale P53W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
30A
Resistenza RdsON canale P
7000µohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
53W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
30A
Resistenza RdsON canale N
7000µohm
Stile di Case del Transistor
LFPAK56D
Dissipazione di potenza canale N
53W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000272