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PMDT670UPE,115
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,465 |
| 10+ | € 0,294 |
| 100+ | € 0,187 |
| 500+ | € 0,141 |
| 1000+ | € 0,123 |
| 5000+ | € 0,0826 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePMDT670UPE,115
Codice Prodotto2069555
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N550mA
Corrente di drain continua (Id) canale P550mA
Resistenza RdsON canale N0.67ohm
Resistenza RdsON canale P0.67ohm
Stile di Case del TransistorSOT-666
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N500mW
Dissipazione di potenza canale P500mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The PMDT670UPE is a dual P-channel enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- ESD protection up to 2kV
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
550mA
Resistenza RdsON canale P
0.67ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
500mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
550mA
Resistenza RdsON canale N
0.67ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-666
Dissipazione di potenza canale N
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto