Stampa pagina
PMDPB30XN,115
MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 190 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,484 |
| 10+ | € 0,373 |
| 100+ | € 0,193 |
| 500+ | € 0,181 |
| 1000+ | € 0,160 |
| 5000+ | € 0,120 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 5
Più: 5
€ 2,42 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePMDPB30XN,115
Codice Prodotto2311189
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N5.3A
Corrente di drain continua (Id) canale P5.3A
Resistenza RdsON canale N0.032ohm
Resistenza RdsON canale P0.032ohm
Stile di Case del TransistorSOT-1118
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.17W
Dissipazione di potenza canale P1.17W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The PMDPB30XN is a dual N-channel enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5.3A
Resistenza RdsON canale P
0.032ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.17W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5.3A
Resistenza RdsON canale N
0.032ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-1118
Dissipazione di potenza canale N
1.17W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000007
Tracciabilità del prodotto