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PBSS8110T,215
Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePBSS8110T,215
Codice Prodotto8736650
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore100V
Corrente di Collettore continua1A
Dissipazione di potenza300mW
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin3Pin
Frequenza di transizione-
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo150hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
PBSS8110T,215 is a NPN low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Typical applications include major application segments: automotive 42V power, telecom infrastructure, industrial, power management: DC/DC converters, supply line switching, battery charger, LCD backlighting, peripheral drivers: driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs), inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability: IC and ICM
- Collector-base breakdown voltage is 120V min at IC=100µA; IE=0A; Tamb=25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 100V min (IC=10mA, IB=0A, pulsed; tp ≤ 300μ, T=25°C)
- Emitter-base breakdown voltage (collector open) is 5V min at IE=100µA; IC=0A; Tamb=25°C
- DC current gain is 150 min at VCE=10V; IC=1mA; Tamb=25°C
- Transition frequency is 100MHz min at VCE=10V; IC=50mA; f=100MHz;Tamb=25°C
- Collector-emitter saturation resistance is 200mohm typ at IC=1A, IB=100mA, Tamb =25°C
- Total power dissipation is 300mW max at Tamb ≤ 25°C
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Corrente di Collettore continua
1A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Numero di pin
3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
150hFE
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Massima tensione Collettore-Emettitore
100V
Dissipazione di potenza
300mW
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Alternative per PBSS8110T,215
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000008
Tracciabilità del prodotto