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GANE3R9-150QBAZ
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreGANE3R9-150QBAZ
Codice Prodotto4414367RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione3900µohm
Carica di gate tipica20nC
Numero di pin25Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3900µohm
Numero di pin
25Pin
Corrente Continua di Drain Id
100A
Carica di gate tipica
20nC
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto