NEXPERIA Transistori FET al Nitruro di Gallio (GaN)
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| Cod. produttore | Codice Prodotto | Descrizione / Produttore | Disponibilità | Prezzo per |
Prezzo
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Quantità | Tensione Drain Source Vds | Corrente Continua di Drain Id | Resistenza Drain-Source in conduzione | Resistenza in Conduzione - Rds(on) Max | Carica di gate tipica | Stile di Case del Transistor | Montaggio Transistore | Numero di Pin | Qualificazioni | |
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| Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | Sort Acending Sort Decending | ||||||||
GAN063-650WSAQ
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3106435 |
Transistore al nitruro di gallio (GaN), FET GaN, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247 NEXPERIA
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Unità |
1+ € 14,14 5+ € 12,56 10+ € 10,98 50+ € 10,76 |
Articolo soggetto a restrizioni
Minimo d'ordine di 1 pezzi Solo multipli di 1 Inserisci una quantità valida Min: 1
Mult:
1
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650V | 34.5A | 0.06ohm | 0.06ohm | 15nC | TP-247 | foro passante (THT) | 3Pin | AEC-Q101 | |
GAN041-650WSBQ
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3759053 |
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247 NEXPERIA
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Unità |
1+ € 17,10 5+ € 16,41 10+ € 15,72 50+ € 14,50 100+ € 13,27 250+ € 11,80 Altri prezzi... |
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Mult:
1
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650V | 47.2A | 0.041ohm | 0.041ohm | 22nC | TO-247 | foro passante (THT) | 3Pin | - |