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GAN3R2-100CBEAZ
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreGAN3R2-100CBEAZ
Codice Prodotto4198483
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id60A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0024ohm
Carica di gate tipica9.2nC
Stile di Case del TransistorWLCSP
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0024ohm
Stile di Case del Transistor
WLCSP
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
60A
Carica di gate tipica
9.2nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000833
Tracciabilità del prodotto