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IRLML6401-3
MOSFET di potenza, canale P, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401-3
Codice Prodotto4655267RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401-3
Codice Prodotto4655267RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id4.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Tensione di test di Rds(on)2V
Tensione di soglia Gate-Source massima950mV
Dissipazione di potenza1.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Panoramica del prodotto
The IRLML6401-3 is a P-Channel logic-level MOSFET designed for high-efficiency switching in compact applications. Housed in the space-saving SOT-23 package, this device offers excellent performance with low on-resistance and fast switching speeds. With a drain-to-source voltage of –20V and logic-level gate drive compatibility, the IRLML6401-3 is ideal for portable electronics, power management, and reverse polarity protection.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- I D: –3.7A (continuous)
- R DS(on): 0.055Ω max @ V<sub>GS</sub> = –4.5V
- Gate threshold voltage: –0.7V to –1.3V (logic-level drive)
- Low total gate charge (Q g): ~5.2nC typ
- Fast switching speed
- SOT-23 package – compact and thermally efficient
- RoHS compliant / Lead-free
- Logic-Level Drive: Operates fully with standard microcontroller GPIO outputs (2.5V–5V logic).
- High Efficiency: Low R DS(on) reduces power losses, improving battery life and thermal performance.
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
12V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
950mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Corrente Continua di Drain Id
4.3A
Tensione di test di Rds(on)
2V
Dissipazione di potenza
1.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.098