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IRLML6401-3
MOSFET di potenza, canale P, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401-3
Codice Prodotto4655267
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttoreIRLML6401-3
Codice Prodotto4655267
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds12V
Corrente Continua di Drain Id4.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.05ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)2V
Tensione di soglia Gate-Source massima950mV
Dissipazione di potenza1.3W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
The IRLML6401-3 is a P-Channel logic-level MOSFET designed for high-efficiency switching in compact applications. Housed in the space-saving SOT-23 package, this device offers excellent performance with low on-resistance and fast switching speeds. With a drain-to-source voltage of –20V and logic-level gate drive compatibility, the IRLML6401-3 is ideal for portable electronics, power management, and reverse polarity protection.
- P-Channel MOSFET (enhancement mode)
- Drain-to-Source Voltage (V DS): –20V
- I D: –3.7A (continuous)
- R DS(on): 0.055Ω max @ V<sub>GS</sub> = –4.5V
- Gate threshold voltage: –0.7V to –1.3V (logic-level drive)
- Low total gate charge (Q g): ~5.2nC typ
- Fast switching speed
- SOT-23 package – compact and thermally efficient
- RoHS compliant / Lead-free
- Logic-Level Drive: Operates fully with standard microcontroller GPIO outputs (2.5V–5V logic).
- High Efficiency: Low R DS(on) reduces power losses, improving battery life and thermal performance.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
4.3A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
2V
Dissipazione di potenza
1.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensione Drain Source Vds
12V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.05ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
950mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.098