Stampa pagina
DN2625DK6-G
MOSFET dual-gate, canale N, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreDN2625DK6-G
Codice Prodotto3380586
Gamma ProdottiDN2625 Series
Datasheet tecnico
1 657 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,950 |
| 25+ | € 2,560 |
| 100+ | € 2,390 |
| 490+ | € 2,160 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,95 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreDN2625DK6-G
Codice Prodotto3380586
Gamma ProdottiDN2625 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N250V
Tensione drain-source (Vds) canale P250V
Corrente di drain continua (Id) canale N1.1A
Corrente di drain continua (Id) canale P1.1A
Resistenza RdsON canale N3.5ohm
Resistenza RdsON canale P3.5ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiDN2625 Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
250V
Corrente di drain continua (Id) canale P
1.1A
Resistenza RdsON canale P
3.5ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
DN2625 Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
250V
Corrente di drain continua (Id) canale N
1.1A
Resistenza RdsON canale N
3.5ohm
Stile di Case del Transistor
DFN
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto