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IXFN80N50P
MOSFET, MODULE, N-CH, 500V, 66A
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ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN80N50P
Codice Prodotto3949054
Gamma ProdottiPolarHV HiPerFET Series
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 33,440 |
| 5+ | € 29,090 |
| 10+ | € 24,740 |
| 25+ | € 23,280 |
| 100+ | € 21,830 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreLITTELFUSE
Cod. produttoreIXFN80N50P
Codice Prodotto3949054
Gamma ProdottiPolarHV HiPerFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Polarità TransistorN Channel
Corrente Continua di Drain Id66A
Tensione Drain Source Vds500V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.065ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.065ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza700W
Dissipazione di Potenza Pd700W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPolarHV HiPerFET Series
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
66A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.065ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
700W
Temperatura di esercizio max
150°C
Polarità Transistor
N Channel
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.065ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di Potenza Pd
700W
Gamma di prodotti
PolarHV HiPerFET Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.039917
Tracciabilità del prodotto