IRF7343TRPBF
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,330 |
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| 500+ | € 0,483 |
| 1000+ | € 0,456 |
| 5000+ | € 0,404 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
L’IRF7343TRPBF è un doppio MOSFET a canale N/P che sfrutta tecnologie di elaborazione avanzate per raggiungere la resistenza in ON per area di silicio minore possibile. A questo si somma una grande rapidità di commutazione e la robustezza del dispositivo. Il MOSFET di potenza HEXFET è un dispositivo estremamente efficiente, da usare in un’ampia varietà di applicazioni. L’SO-8 è stato modificato con un lead-frame su misura per ottenere caratteristiche termiche migliori e una capacità dual-die (a doppio chip) che lo rendono l’ideale in una varietà di applicazione di alimentazione. Con questi miglioramenti, è possibile usare più dispositivi in un’applicazione con uno spazio occupato sulla scheda ridotto al minimo.
- Tecnologia Generation V
- Resistenza di ON ultra bassa
- Dispositivo a montaggio superficiale
- La modalità a valanga è alla massima capacità nominale
Specifiche tecniche
canale N e P complementare
55V
4.7A
0.043ohm
8Pin
2W
-
-
55V
4.7A
0.043ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto