Stampa pagina
IRF7342D2PBF
MOSFET dual-gate, canale P, 55 V, 3.4 A
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF7342D2PBF
Codice Prodotto1463249
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P55V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P3.4A
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P0.105ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P2W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
The IRF7342D2PBF is a dual P-channel MOSFET offers the designer an innovative board space saving solution for switching regulator applications. HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Combining this technology with low forward drop Schottky rectifier's results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications. The package has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Co-packaged HEXFET® power MOSFET and Schottky diode
- Ideal for buck regulator applications
- Low VF Schottky rectifier
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
55V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3.4A
Resistenza RdsON canale P
0.105ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2W
Gamma di prodotti
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000167