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IRF7341GTRPBF
MOSFET dual-gate, canale N, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF7341GTRPBF
Codice Prodotto2839483
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeIRF7341GTRPBF, SP001563394
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIRF7341GTRPBF
Codice Prodotto2839483
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeIRF7341GTRPBF, SP001563394
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N55V
Tensione drain-source (Vds) canale P55V
Corrente di drain continua (Id) canale N5.1A
Corrente di drain continua (Id) canale P5.1A
Resistenza RdsON canale N0.043ohm
Resistenza RdsON canale P0.043ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.7W
Dissipazione di potenza canale P1.7W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
55V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5.1A
Resistenza RdsON canale P
0.043ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.7W
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
55V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5.1A
Resistenza RdsON canale N
0.043ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
1.7W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto