IRF7303TRPBF
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
Informazioni sui prodotti
Alternative per IRF7303TRPBF
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Panoramica del prodotto
The IRF7303TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
canale N
30V
4.9A
0.05ohm
8Pin
2W
-
MSL 1 - Non Limitata
30V
4.9A
0.05ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (17-Jan-2023)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto