IRF7105TRPBF
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 1,030 |
| 50+ | € 0,640 |
| 250+ | € 0,435 |
| 1000+ | € 0,305 |
| 2000+ | € 0,279 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRF7105TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Specifiche tecniche
canale N e P complementare
25V
3.5A
0.083ohm
8Pin
2W
-
MSL 1 - Non Limitata
25V
3.5A
0.083ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
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