Stampa pagina
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 300 A, 1200 µohm, PG-HSOF, montaggio superficiale (SMT)
2 A Stock
4 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 6,740 |
| 50+ | € 4,590 |
| 100+ | € 3,940 |
| 500+ | € 3,930 |
| 1000+ | € 3,500 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 33,70 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPT012N08N5ATMA1
Codice Prodotto2617417
Gamma ProdottiOptiMOS 5
Anche noto comeIPT012N08N5, SP001227054
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id300A
Resistenza Drain-Source in conduzione1200µohm
Stile di Case del TransistorPG-HSOF
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza375W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS 5
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IPT012N08N5ATMA1 is a 80V, 400A OptiMOSTM 5power-transistor in 8 pin HSOF package. Ideal for high frequency switching and synchronous rectification.
- Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
- Very low on-resistance RDS(on) of 1.2mohm
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300A
Stile di Case del Transistor
PG-HSOF
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1200µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS 5
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000953
Tracciabilità del prodotto