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IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET dual-gate, canale N, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPG20N06S2L35AATMA1
Codice Prodotto2781206RL
Gamma ProdottiOptiMOS Series
Anche noto comeIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 14 settimana/e
| Quantità | |
|---|---|
| 5000+ | € 0,459 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5000
Più: 5000
€ 2 300,00 (IVA esc)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPG20N06S2L35AATMA1
Codice Prodotto2781206RL
Gamma ProdottiOptiMOS Series
Anche noto comeIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N55V
Tensione drain-source (Vds) canale P55V
Corrente di drain continua (Id) canale N20A
Corrente di drain continua (Id) canale P20A
Resistenza RdsON canale N0.028ohm
Resistenza RdsON canale P0.028ohm
Stile di Case del TransistorTDSON
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N65W
Dissipazione di potenza canale P65W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS Series
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- Transistore di potenza OptiMOS™-T2
- Livello logico a doppio canale N - modalità di arricchimento
- Qualificato automotive AEC Q101
- Temperatura di esercizio: 175°C
- 100% testato per valanga
- Adatto per ispezione ottica automatica (AOI)
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
55V
Corrente di drain continua (Id) canale P
20A
Resistenza RdsON canale P
0.028ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
65W
Gamma di prodotti
OptiMOS Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
55V
Corrente di drain continua (Id) canale N
20A
Resistenza RdsON canale N
0.028ohm
Stile di Case del Transistor
TDSON
Dissipazione di potenza canale N
65W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000643