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IPB64N25S320ATMA1
MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB64N25S320ATMA1
Codice Prodotto4319085
Gamma ProdottiOptiMOS T Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 11 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 1000+ | € 2,870 |
| 3000+ | € 2,810 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 1000
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIPB64N25S320ATMA1
Codice Prodotto4319085
Gamma ProdottiOptiMOS T Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds250V
Corrente Continua di Drain Id64A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza300W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiOptiMOS T Series
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IPB64N25S320ATMA1 is a OptiMOS®-T power-transistor. Potential application includes hybrid inverter, DC/DC, piezo injection.
- N-channel - enhancement mode, AEC qualified, robust packages with superior quality and reliability
- 100% Avalanche tested, optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Drain-source breakdown voltage is 250V min (VGS=0V, ID= 1mA, Tj = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 20mohm max (VGS=10V, ID=64A, Tj = 25°C)
- Continuous drain current is 64A max (TC=25°C, VGS = 10V), power dissipation is 300W
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VDS=V GS, ID=270µA, Tj = 25°C)
- Low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
- Rise time is 20ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- Fall time is 12ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- PG-TO263-3-2 package, operating temperature range from -55 to +175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
64A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
250V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
OptiMOS T Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto