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FZ2000R33HE4BOSA1
Modulo IGBT, commutatore singolo, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, modulo
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFZ2000R33HE4BOSA1
Codice Prodotto3324632
Gamma ProdottiIHM-B Series
Anche noto comeFZ2000R33HE4, SP003062218
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreFZ2000R33HE4BOSA1
Codice Prodotto3324632
Gamma ProdottiIHM-B Series
Anche noto comeFZ2000R33HE4, SP003062218
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTcommutatore singolo
Corrente di Collettore continua2kA
Corrente di Collettore CC2kA
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)2.2V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore2.45V
Dissipazione di potenza-
Dissipazione di Potenza Pd-
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTTab
Massima tensione Collettore-Emettitore3.3kV
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo3.3kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiIHM-B Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
commutatore singolo
Corrente di Collettore CC
2kA
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
2.45V
Dissipazione di Potenza Pd
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
Tab
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
3.3kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corrente di Collettore continua
2kA
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
2.2V
Dissipazione di potenza
-
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
3.3kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
IHM-B Series
Documenti tecnici (1)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):1.151
Tracciabilità del prodotto