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BSZ0909NDXTMA1
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A, 0.0145 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ0909NDXTMA1
Codice Prodotto2771840RL
Anche noto comeBSZ0909ND, SP001637282
Datasheet tecnico
Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreBSZ0909NDXTMA1
Codice Prodotto2771840RL
Anche noto comeBSZ0909ND, SP001637282
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Corrente Continua di Drain Id20A
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N20A
Corrente di drain continua (Id) canale P20A
Resistenza RdsON canale N0.0145ohm
Resistenza RdsON canale P0.0145ohm
Stile di Case del TransistorWISON
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N17W
Dissipazione di potenza canale P17W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Panoramica del prodotto
The BSZ0909NDXTMA1 from Infineon is a dual N-channel OptiMOS™ MOSFET in 8 pin WISON package. The OptiMOS™ technology combined with the PQFN 3x3 package offers an optimized solution for DC to DC applications with space critical requirements. The BSZ0909ND fits perfectly in wireless charging or drives (e.g. multicopter) architectures where designers target to simplify the layout and significantly save space without compromising on efficiency.
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- Avalanche rated
- Low switching losses
- High switching frequency operation
- Lowest parasitics
- Low gate drive losses
- Drain source voltage VDS is 30V, maximum RDS(on) is 18mohm, continuous drain current ID is 20A
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
- Power dissipation is 17W at TC=25°C
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
20A
Resistenza RdsON canale P
0.0145ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
17W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensione Drain Source Vds
30V
Corrente Continua di Drain Id
20A
Corrente di drain continua (Id) canale N
20A
Resistenza RdsON canale N
0.0145ohm
Stile di Case del Transistor
WISON
Dissipazione di potenza canale N
17W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto