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AUIRF7343QTR
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRF7343QTR
Codice Prodotto2803372RL
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeAUIRF7343QTR, SP001517450
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRF7343QTR
Codice Prodotto2803372RL
Gamma ProdottiHEXFET Series
Anche noto comeAUIRF7343QTR, SP001517450
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N55V
Tensione drain-source (Vds) canale P55V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.7A
Corrente di drain continua (Id) canale P4.7A
Resistenza RdsON canale N0.043ohm
Resistenza RdsON canale P0.043ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2W
Dissipazione di potenza canale P2W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiHEXFET Series
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Panoramica del prodotto
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
55V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.7A
Resistenza RdsON canale P
0.043ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2W
Gamma di prodotti
HEXFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
55V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.7A
Resistenza RdsON canale N
0.043ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000227