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AUIRF7103QTR
MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRF7103QTR
Codice Prodotto1909584
Anche noto comeSP001517980
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreAUIRF7103QTR
Codice Prodotto1909584
Anche noto comeSP001517980
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N50V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N3A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.13ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.4W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Alternative per AUIRF7103QTR
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
The AUIRF7103Q is a 50V dual N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. The automotive MOSFET offers benchmark figure of merit performance and their design optimized to address key applications such as electric power steering, injection, micro hybrid and HEV.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Automotive qualified
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
50V
Corrente di drain continua (Id) canale N
3A
Resistenza RdsON canale N
0.13ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.4W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto