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G2R1000MT17J
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm
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ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG2R1000MT17J
Codice Prodotto3598650
Gamma ProdottiG2R Series
Datasheet tecnico
58 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG2R1000MT17J
Codice Prodotto3598650
Gamma ProdottiG2R Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id5A
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione1.45ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.5V
Dissipazione di potenza44W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG2R Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Panoramica del prodotto
G2R1000MT17J is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced ringing, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
5A
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.45ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
44W
Gamma di prodotti
G2R Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001393