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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità | 1+ € 6,140 5+ € 5,820 10+ € 5,500 50+ € 5,270 100+ € 4,920 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 5A | 1.7kV | 1.45ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pin | 20V | 5.5V | 44W | 175°C | G2R Series | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 6,540 5+ € 5,770 10+ € 5,000 50+ € 4,530 100+ € 4,060 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 4A | 1.7kV | 1.15ohm | TO-268 (D3PAK) | 2Pin | 18V | 2.8V | 44W | 175°C | - | |||||
