Stampa pagina
ZXMS6004DN8-13
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreZXMS6004DN8-13
Codice Prodotto3127508RL
Gamma ProdottiIntelliFET Series
Datasheet tecnico
3 765 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,494 |
| 500+ | € 0,450 |
| 1000+ | € 0,408 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 54,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreZXMS6004DN8-13
Codice Prodotto3127508RL
Gamma ProdottiIntelliFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente Continua di Drain Id1.2A
Corrente di drain continua (Id) canale N1.2A
Corrente di drain continua (Id) canale P1.2A
Resistenza RdsON canale N0.35ohm
Resistenza RdsON canale P0.35ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.21W
Dissipazione di potenza canale P1.21W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiIntelliFET Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente Continua di Drain Id
1.2A
Corrente di drain continua (Id) canale P
1.2A
Resistenza RdsON canale P
0.35ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.21W
Gamma di prodotti
IntelliFET Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione Drain Source Vds
60V
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
1.2A
Resistenza RdsON canale N
0.35ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
1.21W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074
Tracciabilità del prodotto