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ZXMP6A16DN8TA
MOSFET dual-gate, canale P, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.085 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreZXMP6A16DN8TA
Codice Prodotto3944191
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N2.9A
Corrente di drain continua (Id) canale P2.9A
Resistenza RdsON canale N0.085ohm
Resistenza RdsON canale P0.085ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.15W
Dissipazione di potenza canale P2.15W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
2.9A
Resistenza RdsON canale P
0.085ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.15W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
2.9A
Resistenza RdsON canale N
0.085ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.15W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001