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ZVN3320FTA
MOSFET di potenza, ad arricchimento, canale N, 200 V, 60 mA, 25 ohm, SOT-23
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| Quantità | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,163 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreZVN3320FTA
Codice Prodotto4318460
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id60mA
Resistenza Drain-Source in conduzione25ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza330mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
60mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
330mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza Drain-Source in conduzione
25ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000544
Tracciabilità del prodotto