Stampa pagina
DMTH6010LPD-13
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 796 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,450 |
| 10+ | € 1,010 |
| 100+ | € 0,730 |
| 500+ | € 0,583 |
| 1000+ | € 0,574 |
| 5000+ | € 0,565 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,45 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMTH6010LPD-13
Codice Prodotto3518403
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N47.6A
Corrente di drain continua (Id) canale P47.6A
Resistenza RdsON canale N0.0085ohm
Resistenza RdsON canale P0.0085ohm
Stile di Case del TransistorPowerDI5060
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.8W
Dissipazione di potenza canale P2.8W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
47.6A
Resistenza RdsON canale P
0.0085ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.8W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
47.6A
Resistenza RdsON canale N
0.0085ohm
Stile di Case del Transistor
PowerDI5060
Dissipazione di potenza canale N
2.8W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000127
Tracciabilità del prodotto