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DMP3056LSD
MOSFET dual-gate, canale P, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP3056LSD
Codice Prodotto2061421
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N6.9A
Corrente di drain continua (Id) canale P6.9A
Resistenza RdsON canale N0.045ohm
Resistenza RdsON canale P0.045ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2.5W
Dissipazione di potenza canale P2.5W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMP3056LSD è un MOSFET ad arricchimento a doppio canale P pensato per ridurre al minimo la resistenza di stato ON RDS (ON) e mantenere allo stesso tempo una performance di commutazione superiore. È ideale per la retroilluminazione ad alta efficienza e le applicazioni con convertitori DC-DC.
- Resistenza di ON bassa
- Bassa tensione di soglia del gate
- Capacità elettrica in ingresso bassa
- Performance di commutazione rapida
- Bassa dispersione in ingresso/uscita
- Privo di alogeni
- Classe di infiammabilità UL94V-0
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
6.9A
Resistenza RdsON canale P
0.045ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.5W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
6.9A
Resistenza RdsON canale N
0.045ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
2.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074
Tracciabilità del prodotto