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DMP2200UDW-13
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMP2200UDW-13
Codice Prodotto3944146
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N900mA
Corrente di drain continua (Id) canale P900mA
Resistenza RdsON canale N0.18ohm
Resistenza RdsON canale P0.18ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N600mW
Dissipazione di potenza canale P600mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
900mA
Resistenza RdsON canale P
0.18ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
600mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
900mA
Resistenza RdsON canale N
0.18ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
600mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto